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伴隨著科技的加速優(yōu)化，電力電子元件慢慢開(kāi)展成各個(gè)產(chǎn)業(yè)莫此為甚的要素。UPS、自動(dòng)飲料機(jī)等行業(yè)對(duì)IGBT這一完成靈活控制和調(diào)節(jié)電流的器件的需求大幅增加。在設(shè)計(jì)UPS電路時(shí)，抉擇一款矚目的的純國(guó)產(chǎn)IGBT器件來(lái)國(guó)產(chǎn)替代FGH60N60SMD型號(hào)較重要。 如今IGBT的質(zhì)量弊端：散熱問(wèn)題、可靠性不高、產(chǎn)品存安全隱患等，都對(duì)UPS設(shè)備的可靠開(kāi)啟造成威脅，故此追求一個(gè)極高質(zhì)量的國(guó)產(chǎn)替代型號(hào)IGBT變得較重要。 對(duì)于UPS電子工程師而言，在國(guó)產(chǎn)替代FGH60N60SMD型號(hào)IGBT時(shí)，需求專(zhuān)心致志多個(gè)關(guān)鍵方面。首先是IGBT的性能參數(shù)，如電流是否得到了60A、額定電壓是否得到了650V等，所述參數(shù)與器件的工作效率有密不可分的關(guān)系的。 圍繞以UPS領(lǐng)域的工程師來(lái)說(shuō)，抉擇FHA60T65A的IGBT產(chǎn)品就相等于抉擇與FGH60N60SMD技術(shù)參數(shù)滿足的解決分階段方案，讓我們仔細(xì)留意詳實(shí)參數(shù)： 1、低VCEsat 2、ID (Tc=100℃)：60A；BVCES：650V 3、VCEsat典型值：1.75V-typ，＜2.0v 4、溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT 5、低開(kāi)關(guān)損耗等 冀望提升升高UPS的功率開(kāi)關(guān)能力，飛虹半導(dǎo)體解決伏總需求，所以抉擇FHA60T65A型號(hào)IGBT。 飛虹半導(dǎo)體強(qiáng)烈提議使用FHA60T65A型號(hào)的IGBT，以提升升高UPS電路的功率開(kāi)關(guān)能力。這種額定參數(shù)為60A、650V的IGBT，完成現(xiàn)實(shí)化解產(chǎn)品散熱問(wèn)題、可靠性不高、產(chǎn)品存安全隱患等存在疑問(wèn)。 為電子工廠化解電路開(kāi)發(fā)問(wèn)題，飛虹半導(dǎo)體的FHA60T65A型號(hào)IGBT值得信賴。中頻逆器、線互動(dòng)式UPS等應(yīng)用都有保障，歡迎咨詢400-831-6077獲取免費(fèi)試樣服務(wù)！